EN
AR
HR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
HI
IT
JA
KO
NON
PL
PT
RU
ES
SV
TL
ID
LT
SR
SK
UK
VI
HU
TH
TR
MS
GA
CY
AZ
LO
LA
MN
NE
MY
KK
UZ
- Parameter
- Related Products
Parameter
Sicut materia ligaturae diversae, SIC effectus, condicio et vita omnes diversae sunt. Indicatur ut sequitur,
1.Binding luto
In refractoriis carbide Pii, argilla frequentissima est, pretium infimum et processus simplicissimus. In praesenti, in industria ceramicae Sinarum, argilla in magna parte carbidi pii fornacis adhibetur. Aluminium, oxygenium et carbida siliconis in argilla gerit, anno 1120 ~ 1150
Lutum quantitatem producti fere non plus quam 15%, subtilis pulveris in rebus non nimis esse debet, alioquin facile est oxidize. Contentum carbidi pii inter 50 et 93% est. Adhibetur. faciunt saggar, padded et NC-G.
2.Binding cum SiO₂
Adde circiter 10% of SiO₂ (micropowder et vicus pulveris) in carbide pii. Particulae carbidae pii sunt oxidatae ad membranam SiO₂ generandam et particulas carbidas pii in processu sintering componunt.
Quia puritas eius rudis materialis alta est, qualitas miscellaneus parum est. Potest adhiberi in atmosphaera superiori 1200 ℃ alta. Generatim ad laquearia tabulas et subsidia facienda.
3.Binding cum mullite
Mullite (5% ~ 8%) et carbide siliconis ut materia rudis, pulpa vel dextrina ut ligans, ab 1380 post incendium formata, mulli cum carbide pii conjuncta firmiter componuntur.
Productum bonum perficientur, thermarum resistentia concussa et repugnantia oxidationis bona confer cum argilla et SIO ligatura. Praesenti applicatio fornacibus tellus.
4.Reaction et sintering
Silicon pulveris metallicum adde et carbonis carbonis in carbide pii (graphite, carbo nigro etc.) in 1450 sepelitur carbonis combustio, pulveris pii, et genus reactionis carbonis beta SiC humilis temperatura, particulas carbidi primas silicon iungens.
Quia producti plerumque continent gratis silicon 8% ~ 15% et parvae carbonis gratis, ideo temperatura infra 1400 . Eius conductivity et impetus resistentiae sunt bonae scelerisque, sed vires, durities et corrosio resistentia inopes sunt. Reactio sintedae carbidi pii producta sunt fere invariabiles ante et post enterationes, ut in quamcumque figuram et magnitudinem procederi possunt, praesertim in magnis et multiplicibus figuris.
5.Binding cum Pii nitride
In caliditate siliconis nitridis praestatio adhiberi potest ut agens de carbide siliconis productorum, et nitrido siliconis et carbidi silicones sunt recentissimae materiae refractoriae carbide siliconis altae.
Silicon nitride cum carbide siliconibus conjuncta cum bonis corporis et chemicis proprietatibus, caliditas effectione, usu temperaturae 1500 , abrasive, metallurgia et cotidiano, ceramicis electronicis aliisque industriis late adhibitis. Sicut fornax ampla prospectus habet.
6.Bingding cum oxynitride Pii
Proprietates eius prope nitridem siliconis et carbidi silicones sunt, et eius proprietates antioxidant superiores sunt. Oxididum silicon oxydatum nitricum distributum per reactionem circa particulas carbidi siliconis distribuitur et arcte adstringit ut carbidi siliconis resistentiam optimam servent.
| Grade | Sic% | FC% | Fe₂O₃% |
| ≥ | ≤ | ||
| Sic98 | 98.0 | 0.3 | 0.3 |
| Sic97 | 97.1 | 0.5 | 0.5 |
| Sic96 | 96.1 | 0.6 | 0.6 |
| Sic95 | 95.5-96.8 | 1 | 0.7 |
| Sic94 | 94.5-95.8 | 1.5 | 0.8 |
| Sic93 | 93.5-94.8 | 2 | 1 |
| Sic92 | 92.5-93.8 | 2.5 | 1.2 |
| Sic90 | 91.0-92.5 | 3 | 1.5 |
| Sic89 | 90.5-92.0 | 3.5 | 2 |
| Sic88 | 89.5-91.0 | 4 | 2.5 |
commoda
1. Maximum fortitudinem
2.High scelerisque conductivity
3.Good resistentia inpulsa
4.Oxidation resistentia
5.Wear resistentia et corrosio resistentia
Applications
1. Abrasive, Molendum, Metallurgia, Refractorium, Ceramicum, Petroleum, Chemicum, Microelectronics, Automobile et Aerospace et sic porro.
2. Ceramica fornacem accendi, et cylindri verticalis distillationis fornaces ad industries bismuthorum et zinci excoquunt.
3. Silicon carbide productorum ceramicorum ut laterum carbidi pii, aluminium anaglyphorum piscinae electrolyticorum, uasculorum, et laterum refractoriarum minorum.
sarcina
